铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图，目标2027年实现千层堆叠
近年来，3D NAND闪存技术飞速发展。铠侠预测，该技术将继续保持强劲增长势头，并预计到2027年将达到1000层堆叠的目标。
铠侠在3D NAND闪存领域的野心可见一斑。其BiCS8 3D NAND闪存已突破200层大关，并计划进一步探索五层单元（PLC）技术，以实现更高的密度。
相比之下，三星也表示将在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片。但铠侠更为激进，设定了更早的实现时间表。
值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度面临着制造方面的挑战。铠侠必须克服这些挑战，才能实现其雄心勃勃的目标。
